Nachdem im letzten Abschnitt die Maske ausführlich besprochen wurde, widmen sich die folgenden Abschnitte der dünnen Metallschicht, die durch die Maske strukturiert werden soll. Alle in dieser Arbeit vorgestellten Ergebnisse stammen von Proben, die nach dem gleichen Verfahren hergestellt wurden. Zuerst werden die S-layer Stücke auf einem Si-Wafer deponiert. Anschließend wird eine dünne Metallschicht oben auf den S-layer aufgebracht. Durch den Beschuß mit Argonionen wird die dünne Metallschicht schließlich restrukturiert und nimmt die Struktur des darunterliegenden S-layers an. In den folgenden Abschnitten werden einige Vorüberlegungen erläutert und auf die Grundlagen der Schichtherstellung eingegangen.